4月26日消息，台积电在美国召开了 “2025 年北美技术研讨会”，此次会议吸引了超 2500 人注册参加。在这场备受瞩目的会议中，台积电重磅透露，公司有望在今年下半年开启 N2（2nm 级）芯片的大规模生产。N2 制程意义非凡，它将成为台积电首个依赖环栅（GAA）纳米片晶体管的生产技术，无疑会在半导体领域掀起一阵狂风巨浪。
助力多款重磅产品，性能功耗双赢
N2 制程的诞生，堪称众多即将上市产品的福音 。明年，AMD 面向数据中心的下一代 EPYC “Venice” CPU，以及苹果用于智能手机、平板电脑和 PC 的 2025 年芯片等，都将得益于这一先进制程 。
从技术优势来看，基于 GAAFET（环绕栅极晶体管）技术，N2 制程在提升性能和晶体管密度方面表现卓越 。与过往制程相比，其能实现显著的功耗节省 。简单来说，未来搭载这些芯片的设备，不仅运行速度更快，电池续航能力也将大幅提升 。无论是手机的日常使用，还是数据中心的高强度运算，N2 制程芯片都能轻松应对 。
N2 制程：全节点改进，良率达标
N2 作为台积电全新打造的制程技术，实现了所谓的 “全节点改进” 。与 N3E 相比，N2 在性能上提升 10% 至 15%，这意味着芯片能够在更短时间内处理更多复杂任务 。在功耗方面，N2 降低 25% 至 30%，设备的发热问题将得到极大缓解，同时也更加节能环保 。晶体管密度提升 15%，使得芯片在更小的空间内集成更多的晶体管，进一步提升了芯片的性能和功能 。
台积电透露，目前 N2 的晶体管性能已接近预期目标 。值得一提的是，256Mb SRAM 模块的平均良率超过 90% 。如此高的良率表明，随着 N2 逐步迈向量产阶段，其制程已达到相当成熟的水平，为大规模生产奠定了坚实基础 。
GAA 纳米片晶体管：开启芯片制造新时代
N2 制程的一大核心亮点，便是采用了 GAA 纳米片晶体管 。这种晶体管的栅极能够 360 度环绕沟道，且 N2 的沟道形状为多个水平纳米片 。这一独特结构优势明显，可最大限度地增强对沟道的静电控制 。通过这种方式，在不影响芯片性能或功耗的前提下，能够将晶体管尺寸最小化，进而实现更高的晶体管密度 。未来，芯片将在更小的体积下，拥有更强大的运算能力 。
台积电 N2 制造工艺若在今年下半年顺利量产，无疑将为半导体行业注入新的活力 。它不仅会推动相关产品性能大幅提升，还可能改变行业竞争格局 。众多科技企业也将借助 N2 制程芯片，在市场中推出更具竞争力的产品 。
半导体行业持续创新，台积电 N2 制程带来新变革。亿配芯城（ICgoodFind）将密切关注行业动态，凭借专业优势，为客户提供优质芯片产品与服务，助力行业各方把握机遇。
