近日消息，在半导体存储领域的激烈竞争中，三星电子传来一则振奋人心的消息 。近日，据业内人士透露，三星电子代工部门迎来关键进展，其采用 4nm 工艺生产的、作为第六代高带宽存储器（HBM4）核心的 “逻辑芯片”，测试生产良率已成功突破 40% 大关 。这一成绩的取得，无疑为三星电子在 HBM4 的开发与量产进程注入了一剂 “强心针” 。
在半导体制造中，良率是衡量生产效率和产品质量的重要指标 。一位半导体业内资深人士对此评价道：“初始测试生产良率达到 40%，这是相当不错的成绩，意味着我们可以迅速开展后续业务 。通常情况下，代工流程初期良率多从 10% 左右起步，随着不断优化工艺、逐步进入量产阶段，良率还会持续攀升 。” 此次三星电子在 HBM4 逻辑芯片测试生产中取得的高良率，充分彰显了其代工技术的实力与潜力 。
借代工优势，三星全力冲刺 HBM4 市场
长期以来，在 HBM 技术竞争的赛道上，三星电子的表现并不尽如人意 。在第五代 HBM（HBM3E）市场中，三星电子已被竞争对手 SK 海力士和美光远远甩在身后 。不过，痛定思痛的三星电子并未气馁，而是将全部精力投入到 HBM4 的研发与生产中，力求在这一新兴领域实现逆袭 。
三星电子的 HBM4 逻辑芯片采用代工精细工艺，这一工艺具有显著优势 。一方面，它能够大幅提升芯片性能，满足日益增长的高性能计算需求 。另一方面，该工艺允许根据客户的特定设计需求进行生产，从而能够灵活应对 “定制 HBM” 市场的多样化需求 。特别是在全球大型科技公司对定制化芯片需求快速增长的当下，三星电子凭借自身的代工技术，与依赖台积电代工的 SK 海力士和美光相比，具备了更强的市场竞争力 。
1c DRAM 成关键，三星 HBM4 业务胜负在此一举
当下，三星电子 HBM4 业务的未来走向，在很大程度上取决于其内存业务部门正在全力开发的 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 。HBM4 12 层产品需要配备 1c DRAM 和逻辑芯片 。目前，三星电子的竞争对手 SK 海力士在 HBM4 产品中采用的是上一代 DRAM（1bDRAM） 。倘若三星电子能够成功实现 1c DRAM 的稳定量产，那么在 HBM4 性能方面，三星电子有望一举超越竞争对手，占据领先地位 。
除了 DRAM，封装技术同样至关重要 。三星电子正在采用 “先进热压非导电粘合膜 (TC-NCF)” 技术，该技术在堆叠芯片时，会在每层之间铺设一层薄膜型材料，可实现最多 12 层 HBM 产品的堆叠 。半导体业内人士指出：“从三星电子的角度来看，目前剩下的关键任务，便是稳定搭载在 HBM 上的 DRAM 以及进一步优化封装技术 。”
半导体行业瞬息万变，三星 HBM4 的进展备受瞩目。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，凭借专业优势，为客户提供优质芯片产品与服务，助力行业在创新中前行。
