4月18日消息，韩媒最新消息传来，SK 海力士今年将迎来一场大规模的投资盛宴 。公司计划投资超过 20 万亿韩元（约合 137 亿美元），用于扩建专注于高带宽存储器（HBM）生产的工厂 。这一投资规模堪称 SK 海力士发展历程中的一座里程碑，此前其投资额从未触及 20 万亿韩元的高度 。
在 2024 年业绩报告电话会议上，SK 海力士便已着重强调，今年投资规模将远超上一年，尤其是在 HBM 领域的投入会显著增加 。如今，这一承诺正逐步变为现实 。SK 海力士相关负责人明确表示：“投资规模将比去年有所增加，重点将放在 HBM 领域 。”
半导体周期下，HBM 需求成投资催化剂
半导体行业向来具有明显的周期性，其发展深受技术进步和全球经济状况的左右 。市场时而迎来需求高峰期，时而陷入低迷期 。而当下，SK 海力士这一重大战略举措，正值大型科技公司对人工智能（AI）和数据中心技术投资热潮之际 。随着 AI 技术的迅猛发展，数据处理需求呈指数级增长，这使得对 HBM 等先进存储器解决方案的需求急剧攀升 。
作为英伟达 8 层、12 层 HBM3E 产品的主要供应商，SK 海力士在这场 HBM 需求风暴中占据了有利位置 。凭借与英伟达等大客户的紧密合作关系，SK 海力士已充分做好准备，有望从这一不断增长的市场中获取丰厚利润 。
抢占市场份额，HBM 助力 SK 海力士登顶
值得一提的是，SK 海力士此番积极的投资策略，还有望进一步巩固其在 DRAM 市场新获得的领先地位 。市场研究公司 Counterpoint Research 数据显示，今年第一季度，SK 海力士的 DRAM 销售额市场份额飙升至 36% ，成功超越三星电子的 34% 。在这场激烈的市场份额争夺战中，高价值的 HBM 产品发挥了至关重要的作用 。它不仅为 SK 海力士带来了更高的利润空间，还凭借其卓越的性能，吸引了众多对数据处理速度和存储容量有严苛要求的客户，从而助力 SK 海力士在 DRAM 市场脱颖而出 。
半导体行业投资热潮涌动，SK 海力士对 HBM 的大力投入备受瞩目。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，依托专业优势，为客户提供更优质的芯片产品与服务，助力行业在创新发展中不断前行。
