英飞凌科技旗下的 IR HiRel 公司，为满足下一代 “新太空”（NewSpace）项目需求，成功拓展了其抗辐射（rad - tolerant）MOSFET 产品组合。新推出的一款 P 沟道器件，专为近地轨道（LEO）航天应用打造，为工程师提供了兼具成本效益与高性能的解决方案。
新型 P 沟道 MOSFET 亮点突出
这款 60V 的 P 沟道 MOSFET（型号 BUP），补充了英飞凌现有的 60V 和 150V N 沟道器件 。与传统抗辐射加固器件不同，它采用塑料封装，显著降低成本，还能通过标准制造工艺实现高产量生产 。该器件依据 AEC - Q101 标准相关测试完成空间应用认证，历经逸气、盐雾等严格测试。其单粒子效应（SEEs）评定为 46 MeV・cm²/mg LET，总电离剂量（TID）30 到 50 krad（Si），工作温度范围为–55°C 到 175°C 。它导通电阻 38 毫欧，最大电流能力 35A，采用 PG - TO252 - 3 表面贴装塑料封装，便于集成。
技术与产品组合优势显著
英飞凌运用先进技术，如 N 沟道 MOSFET 中的专利 CoolMOS 超级结技术，使 FET 开关性能更优 。公司不断丰富产品组合，目前提供四款针对特定应用优化的 N 沟道 MOSFET（60V 和 150V 版本）及 60V P 沟道 MOSFET ，给予工程师更多选择。此外，英飞凌还积极拓展抗辐射产品系列，开发门极驱动器和氮化镓 HEMT 。
制造与认证确保品质
英飞凌的功率组件在成熟生产基地制造，N 沟道器件于德国德累斯顿前端制造，P 沟道 MOSFET 在马来西亚居林生产，后端生产和组装在亚洲（马来西亚马六甲和印度）进行，利用汽车级生产线保障质量，优化成本与交货期 。所有抗辐射功率分立器件依据 AEC - Q101 Rev. E 标准认证，通过逸气、盐雾等关键测试，满足可靠性要求，降低成本。
应用广泛，未来可期
P 沟道 MOSFET 典型应用于功率管理电路、DC/DC 转换器、电池充放电和开关电源等 。英飞凌持续投资扩展抗辐射产品家族，未来将推出低侧门极驱动器和 30V P 沟道 MOSFET 。公司提供 SEE 和 TID 认证测试报告、SPICE 模型（P 沟道 MOSFET 模型即将发布）及半桥配置评估板，助力工程师设计。
英飞凌通过创新产品与技术，为商业太空应用提供了性能、成本与可用性平衡的功率管理方案。亿配芯城与ICGOODFIND将持续关注英飞凌及行业动态。
