4月10日消息，业界传出重磅消息：三星电子半导体研究所已正式启动 1nm 晶圆代工工艺的开发 。鉴于在即将量产的 2nm 工艺等方面，与行业巨头台积电存在明显差距 ，三星电子决定背水一战，加速 1nm 级工艺的研发，期望借此创造反转机会 。
组建精锐团队，推进前沿研发
为确保 1nm 工艺研发顺利进行 ，三星电子从参与 2nm 等最尖端工艺开发的研究员中，选拔出精英人才 ，组建了专门的项目团队 。在三星电子现有的公开晶圆代工工艺路线图中 ，原计划于 2027 年量产的 1.4nm 工艺曾是其最前沿的规划 。如今，1nm 工艺研发的启动，无疑将三星的技术探索又向前推进了一大步 。
技术与设备双重挑战，量产时间待定
1nm 工艺堪称半导体领域的 “珠穆朗玛峰” ，要成功攻克，不仅需要打破现有设计框架的全新技术概念 ，还需引入高数值孔径极紫外光（High - NA EUV）光刻机等下一代先进设备 。据消息透露 ，三星方面初步将 1nm 工艺的量产时间定在 2029 年之后 。这一决策背后，是对技术难度和研发周期的谨慎评估 。
技术差距倒逼，提前布局谋变
在当下的半导体代工市场 ，竞争异常激烈 。三星电子在正在量产的 3nm 和今年计划量产的 2nm 领域 ，技术上均落后于台积电 。尤其是 2nm 工艺 ，台积电的良率已超过 60% ，与三星电子拉开了不小的差距 。正是这种现实压力，促使三星电子提前启动 1nm 工艺开发 ，试图通过技术的跨越式发展，重塑市场格局 。
对手亦在加速，行业竞争白热化
与此同时 ，三星的竞争对手台积电也没有丝毫懈怠 。去年 4 月 ，台积电宣布将在 2026 年下半年开始生产介于 1.4nm 和 2nm 之间的 1.6nm（16A）技术 。这一举措不仅是为了应对快速变化的人工智能（AI）半导体市场技术需求 ，更是为其下一代工艺搭建桥梁 。在这场半导体工艺竞赛中，各企业都在争分夺秒，加速技术迭代 。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，三星发力 1nm 工艺凸显半导体代工竞争激烈。技术迭代快，企业需紧跟潮流。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注动态，以专业优势为客户提供优质产品与服务，助力行业在变革中前行。
