3 月 19 日，台媒 digitimes 报道了一则震撼半导体存储行业的消息 ：SK 海力士预计将供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片的第五代 12 层 HBM3E 。一旦成真，SK 海力士与三星电子、美光（MICRON）的差距很可能进一步被拉开，在高带宽内存（HBM）市场的竞争中抢占先机。
技术领先，率先量产创佳绩
去年 9 月，SK 海力士在全球范围内率先开启 12 层 HBM3E 芯片的量产进程 。这款芯片成功实现了 36GB 的大容量，运行速度更是高达 9.6Gbps。在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时，每秒能够读取 35 次 700 亿个整体参数，展现出强大的性能，为其在市场竞争中奠定了坚实基础。
英伟达需求急迫，SK 海力士加速布局
去年 11 月，SK 集团会长崔泰源透露 ，英伟达 CEO 黄仁勋急切要求 SK 海力士提前六个月供应下一代高带宽内存芯片 HBM4 。面对这一需求，SK 海力士迅速规划，计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，16 层堆叠 HBM 则预计在 2026 年稍晚推出，以满足市场对高性能内存芯片的迫切需求。
三星获批供应，仍难望其项背
彭博社知情人士在今年 2 月透露 ，三星电子公司已获批向英伟达供应其 8 层 HBM3E 高带宽存储芯片 。虽然这一批准是三星在该领域的一个重要进展，但在 HBM 技术层面，三星与 SK 海力士、美光科技等竞争对手相比，仍然存在一定差距，想要在市场中取得更大份额，仍需付出更多努力。
美光蓄势待发，12 层堆叠产品将放量
美光方面，执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 今年 2 月透露 ，美光的 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）即将实现大规模放量 。这显示出美光在 HBM 市场积极进取的态度，试图凭借这款产品在激烈的市场竞争中分得一杯羹，打破现有市场格局。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，HBM 市场竞争日益白热化，SK 海力士的供应消息将重塑行业格局。半导体存储领域的发展正面临重大变革。亿配芯城（ICgoodFind）将密切关注市场动态，以专业优势为客户提供优质产品与服务，助力行业在变化中稳步前行。
