21 人因芯片技术泄密被依法逮捕！最新资讯

21 人因芯片技术泄密被依法逮捕！

by: admin 行业资讯 0 2025-03-07 21:32:05

12 月 4 日消息在半导体行业引起轩然大波。据韩国警方 3 日消息披露，一名三星电子前工程师因涉嫌严重的不当行为而陷入法律困境。其不仅涉嫌挖角三星电子的半导体核心技术人才，更为严重的是，还向在华芯片公司泄漏了 20 纳米 DRAM内存芯片技术，此等行径致使其遭逮捕并移送检方。

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韩联社报道详细指出，首尔警察厅产业技术安全侦查队当天表明，这名 64 岁的三星电子前工程师因涉嫌违反 “职业安定法” 而被依法逮捕，并迅速移送至首尔中央地方检察厅。

据深入报道内容显示，该男子曾以顾问身份深度参与创立成都高真公司。与此同时，其在韩国本土成立猎头公司，以具有吸引力的至少 2 至 3 倍的优渥薪资为诱饵，大肆挖角三星电子核心技术人才，其目的在于协助在中国 “复刻” 动态随机存取内存（DRAM）工厂。令人震惊的是，他们竟于 2022 年 4 月成功生产出半导体晶圆。

这座DRAM工厂从完工到投产仅仅耗费了 1 年 3 个月的时间。与之形成鲜明对比的是，一般情况下，晶圆从测试到量产通常需要漫长的 4 至 5 年时间。

韩国警方着重提及，此次外流技术的经济价值高达 4.3 万亿韩元（约 30.4 亿美元），若将相关经济效益综合考量进去，实际损失规模可谓极其庞大，这无疑对韩国半导体产业造成了沉重打击。

除了这名前工程师之外，还有以相同恶劣手法挖角韩国半导体人才的 2 位猎头公司代表及法人也被依法移送法办。据悉，这些猎头公司已成功挖角逾 30 名技术人员，如此大规模的技术人才流失，严重影响了韩国半导体产业的技术根基与发展潜力。

尽管韩国国家关键技术出现外流的严峻情况，但警方在执法过程中却面临法律困境。由于现行法规的限制，警方只能依据刑责相对较轻的「职业安定法」，而非更为针对性的「产业技术保护法」来逮捕涉案嫌犯。

警方对此详细解释道，根据现行法规规定，以「挖角」方式导致技术外流的行为并不属于「产业技术保护法」规定的惩处范围，这一法律漏洞凸显出来，因此有必要针对相关法律进行及时修法，以实现对商业间谍行为的严厉惩处，从而有效保护韩国的关键技术与产业利益。

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报道进一步指出，包括前三星电子工程师在内，此次技术外泄案共有 21 人遭移送法办。

成都高真创办人、三星电子前常务兼SK 海力士前副社长崔珍奭等人则已被依法逮捕，他们涉嫌违反「产业技术保护法」及「防止不正当竞争及商业秘密保护法」，其行为严重破坏了市场竞争的公平性与产业技术的保密性。

亿配芯城 ICGOODFIND总结：

在全球半导体产业竞争激烈且技术保密至关重要的大背景下，三星电子技术外泄事件成为行业焦点。亿配芯城与ICGOODFIND始终密切关注行业动态。此次事件中，前工程师与猎头公司挖角并泄漏DRAM技术，虽工厂快速投产但给韩国造成巨大经济损失，法律惩处依据不足凸显修法必要性，众多涉案人员被移送法办。这为半导体企业在技术保护、人才管理与法律合规方面敲响警钟，促使行业反思如何加强技术保密措施、规范人才流动并完善法律监管体系以维护产业安全与公平竞争环境。

文章标签：芯片技术，三星电子，DRAM