2月18日消息，美光科技即将开启其 12 层堆栈高带宽内存 (HBM) 的量产进程，并且将把产品供应给领先的AI 半导体公司英伟达。

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去年 9 月，美光成功完成了 12 层堆栈 HBM 的研发工作，并向英伟达等客户展示了产品样品。据 2 月份业内人士透露，14 日，美光首席财务官 Mark Murphy 在 Wolfe Research 主办的一场活动中着重强调了该产品的优势。Mark Murphy 表示，美光的12 堆栈 HBM 产品相较于竞争对手的 8 堆栈产品，功耗降低了 20%，容量增加了 50%。他还进一步预测，今年下半年生产的 HBM 大部分将会是 12 堆栈产品。

HBM 技术：高性能计算的关键助力

HBM 技术的重要意义在于，它能够将 DRAM 芯片进行垂直堆叠，进而大幅提高数据处理速度和带宽。这一特性对于高性能计算任务而言至关重要，尤其是在应用于 AI 领域的 GPU 方面。随着市场对于此类先进内存解决方案的需求日益增长，与英伟达签订供应合同，对于内存制造商来说，变得愈发关键。

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三星电子：技术落后，竞争地位受挑战

美光科技凭借其 12 层堆栈 HBM 准备引领市场潮流，然而三星电子却在这场竞争中显得落后。三星电子最近才进入 8 叠层产品的小规模量产阶段，并且尚未通过 12 叠层产品的测试。三星计划在月底向英伟达发送 12 层堆栈 HBM 样品产品，不过最终的交付还需得到批准。这种时间上的延迟，极有可能影响三星在市场上的竞争地位，毕竟在市场中，技术领先往往意味着市场份额和收入的提升。

SK 海力士与三星：全力推进 HBM4 开发

与此同时，据报道，半导体行业的另一个主要参与者 SK 海力士（SK Hynix）正在加速 HBM4 的开发进程，以满足英伟达的需求，目标是在年内完成。而同样寻求转型的三星，也将年内量产 HBM4 作为目标，计划应用 10 纳米级第六代（1c）DRAM 技术。

下一代 HBM：行业持续创新的标志

Mark Murphy 还宣布，下一代第六代 HBM（HBM4）预计将于明年出货，这充分彰显了半导体行业持续创新、快速发展的趋势。随着技术竞争的不断加剧，能够生产 12 层堆栈 HBM 以及更高级别的尖端内存解决方案的能力，将对美光、三星和 SK 海力士等公司的财务业绩和市场地位产生显著影响。

亿配芯城（ICgoodFind）认为，在内存芯片领域的这场激烈竞争中，美光凭借 12 层堆栈 HBM 占据了领先优势，三星和 SK 海力士也在奋力追赶。行业的快速发展和技术的不断创新，既带来了机遇也充满挑战。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注行业动态，为客户提供优质服务，助力其在市场变化中把握先机

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