NAND Flash巨头直接停产部分晶圆产线

文章图片

8月16日消息,据ZDNet Korea报道,三星电子目前正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉,该设备将停产至少一个月,但可能会延长至2023年下半年。  

NAND Flash.png

三星电子已经减少了主要NAND Flash生产基地的晶圆投入,包括韩国平泽、华城以及中国西安。业界猜测三星的NAND Flash产量可能会减少10%左右。不过,鉴于市场持续低迷,三星在4月份发布的2023年Q1财报中正式宣布存储器减产计划。此外,三星在发布第Q2财报时表示,2023年下半年将重点削减NAND Flash领域的产量。

值得注意的是,半导体公司通常采用在减产期间保持设备运行而不生产晶圆的方法。这主要是因为如果设备完全关闭,重新启动期间重新建立工艺、达到产量需要额外的时间和金钱投资。不过,三星正在考虑停止设备运转,不仅是为了增强减产效果,也是为了削减成本。据报道,包括半导体在内的三星设备解决方案(DS)部门仅在2023年上半年就累计亏损8.94万亿韩元(约合67.2亿美元)。

第6代128层V-NAND系列工艺相对成熟,成为减产目标。目前,三星的主要销售来自第7代和第8代V-NAND产品,分别为176层和236层。

据etnews 14日也报道,三星电子和SK海力士于8月14日发布的半年报显示,截至今年6月底,负责三星电子半导体业务的DS部门的库存为33.6896万亿韩元,SK海力士为16.4202万亿韩元。与去年底相比,分别增长15.9%和4.8%。

如果将两家公司的半导体库存相加,总额为50.1098万亿韩元。今年前6个月,库存总额增加超过5万亿韩元。库存占总资产的比重也有所增加。三星电子库存比重从去年年底的11.6%上升到今年6月底的12%,SK海力士则从15.1%上升到16%。 

电子元器件采购平台.jpg

相关文章

发表评论

评论

    暂无评论

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll