2月20日消息，英飞凌已成功出货首批基于更大的 200 毫米晶圆的碳化硅（SiC）功率器件，成为率先推出首批采用 200 毫米晶圆制造的 SiC 器件的企业。这一举措标志着英飞凌在 SiC 领域迈出了重要一步。
突破传统，200 毫米晶圆成成本关键
在 SiC 器件制造领域，几乎所有的 SiC 器件以往都采用 150 毫米晶圆制造，而使用更大的 200 毫米晶圆面临着诸多重大挑战。然而，采用 200 毫米晶圆制造器件是降低 SiC 器件成本的关键一步。目前，其他公司如 Wolfspeed、意法半导体（ST）、安森美（onsemi）以及罗姆、三菱电机等也在积极开发 200 毫米技术。
两地协作，生产过渡稳步推进
此次高压器件是在英飞凌位于奥地利菲拉赫的工厂制造的。本季度这些器件的出货，也是英飞凌马来西亚居林制造基地从新建的 Module 3 中的 150 毫米晶圆过渡到 200 毫米晶圆的关键一步。这一过渡对于提升产能和优化生产流程具有重要意义。
技术共享，保障高效运营
英飞凌的菲拉赫和居林的生产基地通过共享技术和工艺，实现了 SiC 和氮化镓（GaN）制造的快速提升，同时确保了运营的平稳高效。这种协同合作模式为英飞凌的生产提供了有力支持。
官方发声，确保产能与质量
英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 表示：“我们的 SiC 生产正按计划推进，我们为向客户推出的第一批产品感到自豪。通过分阶段提高菲拉赫和居林的 SiC 产量，我们正在提高成本效率并继续确保产品质量。同时，我们正在确保制造能力能够满足对基于 SiC 的功率半导体的需求。”
亿配芯城（ICgoodFind）认为，英飞凌推出首批采用 200 毫米晶圆制造的 SiC 器件，在 SiC 功率器件制造领域具有开创性意义。其不仅推动了自身技术发展和成本优化，也为行业树立了新的标杆。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注 SiC 技术动态，凭借自身在电子元器件领域的优势，为客户提供优质的产品与服务，助力行业发展。
