10月20日消息，全球半导体制造企业格芯（GlobalFoundries，前格罗方德）近日发布新闻稿，宣布获得美国国防部提供的3500万美元资金，以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工厂制造硅基氮化镓(GaN on Si)芯片的进程。
格芯是从AMD半导体的制造部门独立出来的，目前是世界第四大专业晶圆代工厂，旗下拥有德国德累斯顿、美国奥斯汀和纽约州(建设中)等多座工厂。此次获得的资金将用于支持该公司在硅基氮化镓技术方面的研发和生产工作。
硅基氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高频率、高功率和高效率等特点，被广泛应用于航空航天、汽车和通信等领域。格芯表示，该公司在该领域拥有丰富的经验和技术积累，并已经具备了在200mm晶圆上大规模生产硅基氮化镓芯片的能力。此次获得的资金将用于进一步推进该公司在该领域的研发和生产工作，加速实现量产。
据悉，这笔资金建立在格芯与美国政府多年合作的基础上。此前，该公司已经获得过美国政府的多项资金支持。其中，2020年至2022年期间，格芯获得了4000万美元的支持，用于推动硅基氮化镓技术的发展。此次获得的3500万美元资金将使该公司更接近200mm晶圆上硅基氮化镓的量产，200mm晶圆是GaN技术的最进技术。
值得一提的是，格芯在制造硅基氮化镓芯片方面拥有独特的技术优势。该公司采用直接在硅片上生长氮化镓薄膜的技术路线，可以更好地控制芯片的性能和质量，同时降低制造成本和生产周期。此外，格芯还具备完整的生产线和供应链，可以提供从半导体材料到芯片制造的一站式服务，这将有助于客户更快地将产品推向市场。
此次获得美国国防部的资金支持，将进一步巩固格芯在硅基氮化镓芯片制造领域的领先地位。未来，该公司将继续加大对该领域的研发投入，积极拓展市场应用场景，为全球客户提供更优质、更高效的半导体产品和服务。
除此之外，格芯还致力于加强与美国政府和国防部门的合作，以推动该公司在国防和安全领域的创新和发展。未来，该公司将继续加强与美国政府和国防部门的合作，积极推动数字化转型和现代化升级，为保障国家安全和推动经济发展做出更大的贡献。
总的来说，格芯此次获得美国国防部的资金支持，不仅将有助于加速硅基氮化镓芯片的量产进程，同时也将进一步巩固该公司在全球半导体制造领域的地位。未来，该公司将继续加大研发投入和市场拓展力度，为客户提供更优质、更高效的半导体产品和服务。
