11月2日消息，据武汉经开区官方消息，近日首批采用纳米银烧结技术的碳化硅SiC模块已经从智新半导体二期产线顺利下线，并完成了自主封装、测试以及应用老化试验。这一突破性的碳化硅模块采用了纳米银烧结工艺和铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板。相比于传统工艺，该模块的热阻降低了10%以上，工作温度高达175℃，而损耗则比IGBT模块大幅降低40%以上。这一创新技术将有望提升整车续航里程5%-8%。
武汉经开区消息透露，智新半导体公司的碳化硅模块项目是基于东风集团新一代800V高压平台“马赫动力”进行开发的。该项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式被立项为量产项目。
智新半导体自成立以来，已申请受理专利51项，其中发明专利40项，已授权专利20项，其中发明专利11项。公司的研发实力得到了行业内的广泛认可。
早在2019年6月，东风公司就与中国中车合资成立了智新半导体有限公司，开始自主研发和生产车规级IGBT模块。2021年7月，以第6代IGBT技术为基础的生产线启动量产。这一重要进展为智新半导体的碳化硅模块项目奠定了坚实的基础。
那么，什么是第6代IGBT技术呢？IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种功率半导体器件，广泛应用于电力系统和电子设备中。随着技术的不断进步，IGBT的代际也在不断更新。第6代IGBT技术是当前先进的IGBT技术之一，具有更高的开关频率、更低的损耗和更高的可靠性。
目前，我国的第6代IGBT技术已经取得了重要进展。国内的多家企业已经开始研发和生产第6代IGBT芯片，并应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。其中，智新半导体作为东风公司和中车的合资企业，已经在第6代IGBT技术的研发和应用方面取得了显著成果。
智新半导体的碳化硅模块项目二期已于2022年三季度启动，预计在2023年5月开工建设。该项目计划新建一条车规级IGBT模块生产线，实现新增年产30万件汽车模块的生产能力。这一项目的实施将进一步巩固智新半导体在国内IGBT领域的领先地位，并为我国半导体产业的发展做出更大的贡献。
总之，智新半导体的碳化硅模块顺利下线标志着我国在半导体领域取得了又一重大突破。同时，我国在IGBT技术方面也正在不断追赶国际领先水平，并逐步实现国产替代。随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，我国半导体产业的前景将更加广阔。
