近期，半导体行业发生一起备受瞩目的法律事件。1月16日，英诺赛科在港交所发布公告，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司，于2025年1月16日正式向中国江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，而被起诉的对象为英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）以及苏州芯沃科电子科技有限公司（ChipsWork，被告三）。这一诉讼事件瞬间在行业内引起轩然大波，各方目光纷纷聚焦于此。
涉案专利详情
此次诉讼涉及两项关键专利，分别为202311774650.7号专利以及202211387983.X号专利。其中，202311774650.7号专利聚焦于一种氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法，202211387983.X号专利则涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。氮化镓作为第三代半导体材料的代表，在功率器件领域具有重要应用，这两项专利对于英诺赛科在该领域的技术布局和市场竞争意义非凡。
起诉缘由与诉求
据英诺赛科公司公告，此次起诉有着明确的原因。被告一、被告二和被告三未经原告允许，擅自实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，英诺赛科认为，这种行为严重构成对涉案专利的侵权。基于此，原告坚信被告应当承担相应的法律责任。具体而言，被告需停止侵权行为，以避免对英诺赛科的合法权益造成进一步损害，同时，被告还需承担赔偿责任，对英诺赛科因侵权行为所遭受的损失进行补偿。
被告之间的关联
根据起诉状所提供的信息，被告之间存在紧密的关联。被告二是被告一的全资控股子公司，并且还是英飞凌中文网站的备案主体。而从英飞凌中文网站可知，被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。这种复杂的关系网络，使得此次专利侵权诉讼的法律关系更加错综复杂。
亿配芯城 ICGOODFIND总结：
当下，英诺赛科起诉事件引发关注。亿配芯城与ICGOODFIND认为，该事件或影响氮化镓领域格局，行业企业应关注动态，重视知识产权保护。
