11月24日，据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器芯片产业的支持力度，过去几年已经有了显著的进步。在NAND闪存芯片方面，与三星、SK海力士等全球领先企业的技术差距缩短到两年。
该业内人士指出：“虽然DRAM依然保持5年以上的技术差距，但由于NAND技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的NAND产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。
特别值得一提的是长江存储。在2022年的闪存峰会（FMS）上，该公司正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。
尽管长江存储宣布从176层到232层量产之后，外界对其提出了诸多质疑，但该公司仅用了不到一年的时间就成功量产了X3-9070。除了被用于致态TiPlus7100系列SSD，还被用于海康威视的CC700 2TB SSD上，这是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案，领先于三星、美光、SK海力士等厂商。
报道还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装（Efficient packaging）这个机会，进一步缩小技术差距。在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片，从而提高性能，被认为是克服挑战的关键。
据IT之家援引市场研究公司IDC的数据显示，中国大陆在半导体封装领域占据第二大市场份额。去年长电科技、通富微电和华天科技三家公司进入全球前10大半导体封装（OSAT）公司，而韩国没有一家公司出现在该榜单上。这表明中国大陆在半导体封装领域正在取得重要的进展。
综上所述，中国大陆在存储器产业方面取得了显著的进步。通过加大对存储器产业的支持和鼓励本土企业创新，中国正在快速追赶全球领先企业的技术水平。同时，先进封装技术的发展也将进一步推动中国大陆在半导体领域的进步。
