7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询于今日发布的最新研报表明，在 HBM 和 QLC 崛起的有力推动下，2024 年 DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将大幅超过七成。
具体来看，DRAM 内存产业的营收预计可达 907 亿美元（约合 6602.49 亿元人民币），环比增长 75%；NAND 闪存产业的营收有望达到 674 亿美元（约合 4906.37 亿元人民币），环比增长 77%。
展望 2025 年，该机构预测，DRAM 内存、NAND 闪存产业的营收还将分别实现 51% 和 29% 的环比增长，分别达到 1365 亿美元和 870 亿美元。
研报指出，2024、2025 两年的 DRAM 内存均价将分别上涨 53% 和 35%。
驱动 DRAM 内存产业持续快速增长的主要因素涵盖以下四项：HBM 的崛起、一般型 DRAM 产品的世代演进、原厂资本支出限缩供给以及服务器需求的复苏。其中，HBM 内存的大热将同时提升位元需求和产业平均价格，预估今年 HBM 将贡献 DRAM 位元出货量的 5%，营收贡献可达 20%。
此外，服务器 DDR、移动 LPDDR 内存的世代更替同样有助于高附加价值产品的渗透，进而拉高 DRAM 内存的平均价格。研报预计，DDR5 内存将在 2024、2025 两年的服务器 DRAM 位元出货量中分别占据 40% 和 60 - 65%；而 LPDDR5 (X) 在今明两年也将分别贡献移动内存位元出货量的 50% 和 60%。
对于 NAND 闪存而言，其明年产业增长的动力除了与 DRAM 内存相同的原厂资本支出限缩供给、服务器需求复苏外，还包含 QLC 企业级固态硬盘的崛起和智能手机对 QLC UFS 闪存的引入。
北美云服务供应商已在 AI 推理服务器上大规模应用 QLC 企业级固态硬盘，尤其是 QLC 的大容量型号。研报预计，部分中国业者将从今年 4 季度起在智能手机中搭载 QLC UFS 存储，而苹果 iPhone 则将从 2026 年开始导入此类产品。在种种因素的共同作用下，QLC 闪存将在今年贡献整体 NAND 位元出货量的 20%，且明年这一数值还将进一步提高。
