12月28日，台积电的中科台中园区扩建二期计划近日获得内政部都市计划委员会的批准，此举为台积电在1.4纳米制程技术上的布局投下了重要的一票。台积电正积极扩展其先进的制程技术，而中科二期扩建的通过，为其1.4纳米工艺的生产提供了更大的可能性。
台积电对中科二期扩建的用地规划一直有所保留，尽管北部的1.4纳米生产基地计划暂时搁置，但台积电仍未放弃在中科建立1.4纳米生产基地的愿景。
中科台中园区扩建二期紧邻现有园区，面积达89.75公顷。原本台积电计划将此区域作为2纳米的备援用地，后因台中市政府的审议，面积有所缩小，最多只能兴建两座2纳米旗舰厂。
目前，台积电在2纳米生产上已有明确的布局，包括在宝山和高雄的工厂。而关于1.4纳米的生产，台积电可能会优先考虑在中科二期扩建用地进行，但具体决策还需视各县市的争取态度及配套计划而定。
可靠消息人士透露，台积电的1.4纳米工艺开发正在顺利进行，并可能在2027-2028年间推出。这一时间点与高雄厂切入2纳米强化版（N2P）制程的预计量产时间相近。
然而，随着半导体工艺深入到5nm以下，制造的难度和成本日益增加。摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就会面临严重的量子隧穿难题。各大厂商在实际尺寸上采用的先进工艺仍有一定的余地，纸面上的1nm工艺仍可能存在。
根据IMEC欧洲微电子中心的路线图，2nm工艺之后是14A，也就是1.4nm工艺，预计在2026年问世，再往后就是A10工艺，也就是1nm，预计在2028年问世。然而，实际量产时间可能会延后。在2nm节点之后，EUV光刻机需要进行大规模升级，ASML预计在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用High NA技术提高光刻分辨率。
随着技术进步和市场需求的不断变化，台积电在先进制程技术上的布局也在不断调整。未来几年，台积电在中科台中园区的扩建计划将为其在半导体产业的持续领先地位奠定坚实基础。
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