1月31日，据外媒报道，在即将于今年2月召开的国际固态电路峰会ISSCC上，三星电子将发布下一代V9 QLC NAND闪存解决方案。据悉，该方案的闪存层数将达到惊人的280层，再度刷新业界记录。
这款三星V9 QLC存储产品不仅在层数上取得了突破，更在存储密度和传输速率上实现了显著提升。其每平方毫米的存储密度高达28.5Gb，而传输率更是达到了3.2 Gbps，相较于目前市场上的QLC产品（2.4 Gbps），传输速率提高了不少，甚至已经满足了未来PCIe 6.0方案的需求。
业界普遍认为，三星V9 QLC将成为迄今为止闪存密度最高的解决方案。
值得注意的是，在三星之前，包括美光、SK海力士等在内的存储大厂闪存层数均已突破200层。其中，美光的存储层数为232层，每平方毫米的存储密度为19.5Gb；而SK海力士则达到了238层，每平方毫米的存储密度为14.4Gb。
然而，280层并不是存储大厂闪存层数的终点。事实上，各大厂商都在竞相突破更高的层数。2023年8月，SK海力士对外展示了全球最高层321层NAND闪存样品，计划于2025年实现量产。据悉，SK海力士321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%。
其他厂商方面，美光计划在推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品后，雄心壮志地计划在2030年使V-NAND达到1000多层。同时，铠侠和西部数据也在积极研发300层以上的3D NAND产品。
然而，尽管存储大厂们在技术上取得了显著的突破，但受全球经济逆风和消费电子市场需求低迷的影响，存储器产业经历了较长时间的调整期。直到2023年第四季度，存储器市场才迎来反弹，相关存储大厂的业绩也开始扭亏为盈。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询的调查显示，NAND Flash产品合约价格自2022年第三季开始连续四个季度下跌，直到2023年第三季开始起涨。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，NAND Flash价格走势将取决于供应商产能利用率情况。集邦咨询预测第1季NAND Flash合约价将上涨18~23%，第二季合约价季涨幅将收敛至3~8%。第三季进入传统旺季，合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，NAND Flash合约价季涨幅预估0~5%。
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