型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin (3+Tab) TO-247389420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin PLUS 264974620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N60C3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚598110-99¥11.8440100-499¥11.2518500-999¥10.85701000-1999¥10.83732000-4999¥10.75835000-7499¥10.65967500-9999¥10.5806≥10000¥10.5412
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2 Rds45091-9¥48.275410-99¥45.5055100-249¥43.4479250-499¥43.1313500-999¥42.81471000-2499¥42.45862500-4999¥42.1421≥5000¥41.9442
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 900V 40A 100000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24750501-9¥78.878510-99¥75.4490100-249¥74.8317250-499¥74.3516500-999¥73.59711000-2499¥73.25412500-4999¥72.7740≥5000¥72.3625
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(3+Tab) TO-220444120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 75A 380W TO24783701-9¥82.846010-99¥79.2440100-249¥78.5956250-499¥78.0914500-999¥77.29891000-2499¥76.93872500-4999¥76.4344≥5000¥76.0022
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 350000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24753451-9¥154.019510-49¥150.001650-99¥146.9212100-199¥145.8498200-499¥145.0462500-999¥143.97481000-1999¥143.3051≥2000¥142.6355
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 200 Amps 600V460020-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3Pin(2+Tab) TO-26855511-9¥78.533510-99¥75.1190100-249¥74.5044250-499¥74.0264500-999¥73.27521000-2499¥72.93372500-4999¥72.4557≥5000¥72.0460
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 300V 400A TO3P80991-9¥57.022810-99¥53.7510100-249¥51.3205250-499¥50.9466500-999¥50.57271000-2499¥50.15202500-4999¥49.7781≥5000¥49.5444
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P79001-9¥46.628410-99¥43.9530100-249¥41.9656250-499¥41.6598500-999¥41.35401000-2499¥41.01012500-4999¥40.7043≥5000¥40.5132
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38921-9¥260.440510-49¥253.646450-99¥248.4376100-199¥246.6258200-499¥245.2670500-999¥243.45531000-1999¥242.3229≥2000¥241.1906
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-264AA167620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD154320-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 900V 165A 830W TO26836251-9¥85.905010-99¥82.1700100-249¥81.4977250-499¥80.9748500-999¥80.15311000-2499¥79.77962500-4999¥79.2567≥5000¥78.8085
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85731-9¥49.214810-99¥46.3910100-249¥44.2933250-499¥43.9706500-999¥43.64791000-2499¥43.28482500-4999¥42.9621≥5000¥42.7604
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(2+Tab) TO-26874721-9¥62.813010-99¥60.0820100-249¥59.5904250-499¥59.2081500-999¥58.60731000-2499¥58.33422500-4999¥57.9518≥5000¥57.6241
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61661-9¥62.537010-99¥59.8180100-249¥59.3286250-499¥58.9479500-999¥58.34971000-2499¥58.07782500-4999¥57.6972≥5000¥57.3709
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。79431-9¥293.951510-49¥286.283250-99¥280.4042100-199¥278.3593200-499¥276.8256500-999¥274.78081000-1999¥273.5027≥2000¥272.2247
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P84021-9¥47.933810-99¥45.1835100-249¥43.1404250-499¥42.8261500-999¥42.51181000-2499¥42.15822500-4999¥41.8439≥5000¥41.6474
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT92311-9¥94.978510-99¥90.8490100-249¥90.1057250-499¥89.5276500-999¥88.61911000-2499¥88.20612500-4999¥87.6280≥5000¥87.1325
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 215A 750W Sot227b85811-9¥218.707010-49¥213.001650-99¥208.6275100-199¥207.1060200-499¥205.9649500-999¥204.44351000-1999¥203.4926≥2000¥202.5417
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 200A473120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61821-9¥1034.892010-49¥998.580050-99¥994.0410100-149¥989.5020150-249¥982.2396250-499¥975.8850500-999¥969.5304≥1000¥962.2680
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB74741-9¥722.144410-49¥696.806050-99¥693.6387100-149¥690.4714150-249¥685.4037250-499¥680.9695500-999¥676.5353≥1000¥671.4676
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7Pin Y4-M562091-9¥340.791010-49¥331.900850-99¥325.0850100-199¥322.7143200-499¥320.9362500-999¥318.56551000-1999¥317.0838≥2000¥315.6021
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Littelfuse 超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。89951-9¥956.471410-49¥922.911050-99¥918.7160100-149¥914.5209150-249¥907.8088250-499¥901.9358500-999¥896.0627≥1000¥889.3506
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 600V 300A Dual48031-9¥1178.914010-24¥1168.196625-49¥1162.837950-99¥1157.4792100-149¥1152.1205150-249¥1146.7618250-499¥1141.4031≥500¥1136.0444
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 600V 200A Dual14921-9¥883.830610-49¥852.819050-99¥848.9426100-149¥845.0661150-249¥838.8638250-499¥833.4368500-999¥828.0097≥1000¥821.8074