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价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPD02N60C3BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V37075-24￥4.900525-49￥4.537550-99￥4.2834100-499￥4.1745500-2499￥4.10192500-4999￥4.01125000-9999￥3.9749≥10000￥3.9204 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFU1N60APBF 场效应管, MOSFET, N沟道10075-24￥5.265025-49￥4.875050-99￥4.6020100-499￥4.4850500-2499￥4.40702500-4999￥4.30955000-9999￥4.2705≥10000￥4.2120 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V79805-24￥5.467525-49￥5.062550-99￥4.7790100-499￥4.6575500-2499￥4.57652500-4999￥4.47535000-9999￥4.4348≥10000￥4.3740 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFBF20SPBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V95645-24￥5.697025-49￥5.275050-99￥4.9796100-499￥4.8530500-2499￥4.76862500-4999￥4.66315000-9999￥4.6209≥10000￥4.5576 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA06N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V66285-24￥6.493525-49￥6.012550-99￥5.6758100-499￥5.5315500-2499￥5.43532500-4999￥5.31515000-9999￥5.2670≥10000￥5.1948 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新597810-99￥6.4800100-499￥6.1560500-999￥5.94001000-1999￥5.92922000-4999￥5.88605000-7499￥5.83207500-9999￥5.7888≥10000￥5.7672 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6024ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新646710-99￥7.6440100-499￥7.2618500-999￥7.00701000-1999￥6.99432000-4999￥6.94335000-7499￥6.87967500-9999￥6.8286≥10000￥6.8032 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新794810-99￥8.5800100-499￥8.1510500-999￥7.86501000-1999￥7.85072000-4999￥7.79355000-7499￥7.72207500-9999￥7.6648≥10000￥7.6362 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPL60R385CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V514010-99￥10.3320100-499￥9.8154500-999￥9.47101000-1999￥9.45382000-4999￥9.38495000-7499￥9.29887500-9999￥9.2299≥10000￥9.1955 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPA65R190C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V53095-49￥12.004250-199￥11.4912200-499￥11.2039500-999￥11.13211000-2499￥11.06032500-4999￥10.97825000-7499￥10.9269≥7500￥10.8756 -
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品类: 中高压MOS管描述: N沟道功率MOSFET的600 V ， 8.5 N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.570745-49￥12.051050-199￥11.5360200-499￥11.2476500-999￥11.17551000-2499￥11.10342500-4999￥11.02105000-7499￥10.9695≥7500￥10.9180 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V30455-49￥13.209350-199￥12.6448200-499￥12.3287500-999￥12.24971000-2499￥12.17062500-4999￥12.08035000-7499￥12.0239≥7500￥11.9674 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V27975-49￥14.402750-199￥13.7872200-499￥13.4425500-999￥13.35641000-2499￥13.27022500-4999￥13.17175000-7499￥13.1102≥7500￥13.0486 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V11765-49￥15.853550-199￥15.1760200-499￥14.7966500-999￥14.70181000-2499￥14.60692500-4999￥14.49855000-7499￥14.4308≥7500￥14.3630 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6020ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新61425-49￥18.930650-199￥18.1216200-499￥17.6686500-999￥17.55531000-2499￥17.44202500-4999￥17.31265000-7499￥17.2317≥7500￥17.1508 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA08N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V98025-49￥33.520550-199￥32.0880200-499￥31.2858500-999￥31.08531000-2499￥30.88472500-4999￥30.65555000-7499￥30.5123≥7500￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: TO-220 N-CH 600V 6A66745-49￥34.257650-199￥32.7936200-499￥31.9738500-999￥31.76881000-2499￥31.56382500-4999￥31.32965000-7499￥31.1832≥7500￥31.0368 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHG47N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-369171-9￥42.626810-99￥40.1810100-249￥38.3641250-499￥38.0846500-999￥37.80511000-2499￥37.49062500-4999￥37.2111≥5000￥37.0364 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新62631-9￥70.518010-99￥67.4520100-249￥66.9001250-499￥66.4709500-999￥65.79641000-2499￥65.48982500-4999￥65.0605≥5000￥64.6926 -
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品类: 中高压MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。51791-9￥89.539010-99￥85.6460100-249￥84.9453250-499￥84.4002500-999￥83.54381000-2499￥83.15452500-4999￥82.6095≥5000￥82.1423 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHS90N65E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 87 A, 650 V, 0.025 ohm, 10 V, 4 V 新35351-9￥112.228510-99￥107.3490100-249￥106.4707250-499￥105.7876500-999￥104.71411000-2499￥104.22612500-4999￥103.5430≥5000￥102.9575 -
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品类: 中高压MOS管描述: WOLFSPEED C2M0045170D 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, 20 V, 2.6 V 新34891-9￥935.700610-49￥902.869050-99￥898.7651100-149￥894.6611150-249￥888.0948250-499￥882.3493500-999￥876.6037≥1000￥870.0374
