型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向） ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor885010-49￥0.823550-99￥0.7808100-299￥0.7503300-499￥0.7320500-999￥0.71371000-2499￥0.69542500-4999￥0.6680≥5000￥0.6619 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor68745-24￥1.593025-49￥1.475050-99￥1.3924100-499￥1.3570500-2499￥1.33342500-4999￥1.30395000-9999￥1.2921≥10000￥1.2744 -
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品类: TVS二极管描述: ON SEMICONDUCTOR 1SMB22AT3G 二极管, TVS, DO-214, 600W, 单向19275-24￥1.836025-49￥1.700050-99￥1.6048100-499￥1.5640500-2499￥1.53682500-4999￥1.50285000-9999￥1.4892≥10000￥1.4688 -
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品类: TVS二极管描述: 瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors355420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: TVS二极管描述: 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，1SMB 系列（双向） ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor56185-24￥1.903525-49￥1.762550-99￥1.6638100-499￥1.6215500-2499￥1.59332500-4999￥1.55815000-9999￥1.5440≥10000￥1.5228 -
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品类: TVS二极管描述: 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors31465-24￥1.458025-49￥1.350050-99￥1.2744100-499￥1.2420500-2499￥1.22042500-4999￥1.19345000-9999￥1.1826≥10000￥1.1664 -
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品类: TVS二极管描述:82845-24￥1.525525-49￥1.412550-99￥1.3334100-499￥1.2995500-2499￥1.27692500-4999￥1.24875000-9999￥1.2374≥10000￥1.2204 -
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品类: TVS二极管描述: 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors17065-24￥1.458025-49￥1.350050-99￥1.2744100-499￥1.2420500-2499￥1.22042500-4999￥1.19345000-9999￥1.1826≥10000￥1.1664 -
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品类: TVS二极管描述: TVS 二极管 Littelfuse 1SMA70AT3G 单向, 400W, 113V, 2针 DO-214AC (SMA)封装486010-49￥1.161050-99￥1.1008100-299￥1.0578300-499￥1.0320500-999￥1.00621000-2499￥0.98042500-4999￥0.9417≥5000￥0.9331 -
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品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor410510-49￥1.039550-99￥0.9856100-299￥0.9471300-499￥0.9240500-999￥0.90091000-2499￥0.87782500-4999￥0.8432≥5000￥0.8355 -
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品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor358010-49￥1.066550-99￥1.0112100-299￥0.9717300-499￥0.9480500-999￥0.92431000-2499￥0.90062500-4999￥0.8651≥5000￥0.8572 -
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品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor596620-49￥0.202550-99￥0.1875100-299￥0.1800300-499￥0.1740500-999￥0.16951000-4999￥0.16655000-9999￥0.1635≥10000￥0.1605 -
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品类: TVS二极管描述: 400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor718110-49￥1.093550-99￥1.0368100-299￥0.9963300-499￥0.9720500-999￥0.94771000-2499￥0.92342500-4999￥0.8870≥5000￥0.8789 -
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品类: TVS二极管描述: TVS二极管, 1SMA Series, 单向, 58 V, 93.6 V, DO-214AC, 2 引脚884910-49￥1.080050-99￥1.0240100-299￥0.9840300-499￥0.9600500-999￥0.93601000-2499￥0.91202500-4999￥0.8760≥5000￥0.8680 -
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品类: TVS二极管描述: 齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package861220-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: TVS二极管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N914BWS 二极管 小信号, 单, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A506810-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: TVS二极管描述: 二极管 - 通用，功率，开关 100V Io/200mA T/R440420-49￥0.054050-99￥0.0500100-299￥0.0480300-499￥0.0464500-999￥0.04521000-4999￥0.04445000-9999￥0.0436≥10000￥0.0428 -
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品类: TVS二极管描述: Vishay Semiconductor ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor619420-49￥0.121550-99￥0.1125100-299￥0.1080300-499￥0.1044500-999￥0.10171000-4999￥0.09995000-9999￥0.0981≥10000￥0.0963 -
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品类: TVS二极管描述: Fairchild Semiconductor ### 二极管和整流器，Fairchild Semiconductor 无论您是进行新设计、还是采购，Fairchild 都可为您提供行业标准二极管和整流器、小信号二极管、Schottky 和 Zener 二极管。 部件提供最佳质量、功能和封装选项组合。583920-49￥0.108050-99￥0.1000100-299￥0.0960300-499￥0.0928500-999￥0.09041000-4999￥0.08885000-9999￥0.0872≥10000￥0.0856 -
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品类: TVS二极管描述: 1A，高达 450V 采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor444410-49￥0.945050-99￥0.8960100-299￥0.8610300-499￥0.8400500-999￥0.81901000-2499￥0.79802500-4999￥0.7665≥5000￥0.7595 -
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品类: TVS二极管描述: GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8032-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 2.5A, 20NC, TO-25750941-9￥1443.046010-24￥1429.927425-49￥1423.368150-99￥1416.8088100-149￥1410.2495150-249￥1403.6902250-499￥1397.1309≥500￥1390.5716 -
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品类: TVS二极管描述: DIODE, SCHOTTKY, 750mA, 1.2kV, TO-257-3; Diode Type: SiC Schottky; Forward Curren67091-9￥1512.874010-24￥1499.120625-49￥1492.243950-99￥1485.3672100-149￥1478.4905150-249￥1471.6138250-499￥1464.7371≥500￥1457.8604 -
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品类: TVS二极管描述: 肖特基二极管与整流器 650V, 5A, 225 Deg C69121-9￥1536.150010-24￥1522.185025-49￥1515.202550-99￥1508.2200100-149￥1501.2375150-249￥1494.2550250-499￥1487.2725≥500￥1480.2900 -
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品类: TVS二极管描述: GENESIC SEMICONDUCTOR 1N8034-GA Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650V, 10A, 66NC, TO-25743431-9￥1559.426010-24￥1545.249425-49￥1538.161150-99￥1531.0728100-149￥1523.9845150-249￥1516.8962250-499￥1509.8079≥500￥1502.7196 -
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品类: TVS二极管描述: 超快速整流器 ULTRA FAST RECTIFIERS92651-9￥265.374010-49￥258.451250-99￥253.1437100-199￥251.2976200-499￥249.9131500-999￥248.06701000-1999￥246.9132≥2000￥245.7594
