简介：IXYS-IC. 设计生产高电压器件、模数混合器件、光隔离器件和通信IC。 IXYS-IC在模拟/混合信号和高压设计的悠久历史使得 IXYS-IC成为高度集成半导体解决方案的先锋。这些方案在有线接口应用中既替代磁材料也极大提高了性能。在高压和混合信号的应用经验同时也把 IXYS-IC带进其他高速增长的领域，包括工业类，消费类和新的平板显示市场。 IXYS-IC.是原先的CP Clare Corporation,1937年由 Carl P. Clare创建，它为通讯市场提供高压开关技术 。在过去的60多年中，Clare凭借其在高压领域的专长技术，从一个电磁器件制造商变成通讯领域中最后一英里中的最后一英寸的硅片解决方案的领导者。2002年7月，Clare, Inc. 被 IXYS Corporation 收购，现在是IXYS的全资子公司 IXYS-IC事业部。
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描述:
Diode Module 1800V Wc-500
1612
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描述:
MDD 系列双二极管模块，Ixys ### 认可 UL 认证组件 ### 二极管和整流器，Ixys
2819
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描述:
Diode Switching 1.8kV 450A 3Pin Y2-DCB
2891
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描述:
Diode 1.4kV 310A 3Pin Y1-CU
9535
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描述:
Module: diode; double series; 1.6kV; 180A; TO240AA; Ufmax:1.22V
4261
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描述:
Module: diode; double series; 1.4kV; 180A; TO240AA; Ufmax:1.22V
8080
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描述:
MDD 系列双二极管模块，Ixys ### 认可 UL 认证组件 ### 二极管和整流器，Ixys
2398
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描述:
Module: diode; double series; 1.8kV; 190A; Y4-M6; V: Y4; Ufmax:1.15V
1004
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描述:
Diode Schottky 1.4kV 120A 3Pin TO-240AA Box
6503
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描述:
MDD 系列双二极管模块，Ixys ### 认可 UL 认证组件 ### 二极管和整流器，Ixys
5152
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描述:
IXYS SEMICONDUCTOR MDD56-12N1B 二极管模块, 1.2 kV, 71 A, 1.21 V, 双路串联, MDD56 Series
3545
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描述:
DIODE MODULE 1.6kV 120A TO240AA
3360
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描述:
MDD95 系列 2200 Vrrm 2 X 120 A 1.43 Vf 二极管 模块 - TO-240 AA
3395
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描述:
Diode 1.8kV 36A 3Pin TO-240AA Box
7621
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描述:
IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
6182
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描述:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 5Pin Y3-DCB
7474
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描述:
DIODE MODULE 2.2kV 883A
3134
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描述:
DIODE MODULE 1800V WC-500
4940
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描述:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7Pin Y4-M5
6209
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描述:
DIODE MODULE 1.4kV Y1-CU
9664
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描述:
Module: diode; single diode; 1.6kV; 560A; Y1-CU; V: Y1; Ufmax:0.98V
2052
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描述:
二极管阵列 1 对串联 标准 600V 304A 底座安装 Y4-M6
4100
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描述:
Diode Switching 600V 95A 3Pin TO-240AA
1596
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描述:
IXYS SEMICONDUCTOR DSB80C45HB Small Signal Schottky Diode, Dual Common Cathode, 45V, 40A, 580mV, 450A, 150℃
3977
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描述:
Diode Switching 200V 582A 2-Pin Y4-M6
6381
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描述:
IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
2628
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描述:
Igbt Module 1200V 183A Hex
5219
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描述:
IGBT MODULE SGL 1500A E10
9000
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