简介：Fairchild Semiconductor（仙童半导体公司 ）的历史可以追溯至1957年，当时仙童公司的创立者，组织了一些科学家在美国加州研究晶体管制造新工艺，其中有RobertNevce和GordonMoore，就是现在Intel公司的创立者。1959年研究成功平面工艺制造技术，从此，平面技术成为晶体管制造的基本方法。 作为半导体行业先驱拥有丰富的历史，Fairchild的开创性的精神一直延续到现在。 一个分散焦点、阻碍创新的多样化时代，仙童半导体专注于开发和制造完整的高、低功率产品组合，适用于移动、工业、云计算、汽车、照明和计算行业。 仙童半导体 是行业中最可靠的合作伙伴，提供最短时间的从概念到实物的实现能力，有专家级 FAE 提供客户支持，以及灵活的、多来源供应链。 我们的愿景很明确的——预知未来电子产品的能效需求，提供非凡的设计体验。
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单P沟道增强型MOSFET Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
9983
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56A ， 100V ， 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
2621
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12输入9输出视频开关矩阵的输入钳位，输入偏置电路和输出驱动器 12 Input 9 Output Video Switch Matrix with Input Clamp, Input Bias Circuitry, and Output Drivers
3395
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2相半波直流无刷电机驱动器 2 Phase Half Wave BLDC Motor Driver
9393
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MOSFET 驱动器，Fairchild Semiconductor ### MOSFET & IGBT 驱动器，Fairchild Semiconductor
9104
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百毫安CMOS LDO稳压器快速启动启用 100 mA CMOS LDO Regulators with Fast Start Enable
5870
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可编程指示器???? SOFTA ???? LED闪光与TinyWireâ ?? ¢单线接口 Programmable Indicator âSoftâ LED Blinker with TinyWire⢠Single-Wire Interface
9706
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高度集成绿色模式PWM控制器 Highly Integrated Green-Mode PWM Controller
9925
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百毫安CMOS LDO稳压器快速启动启用 100 mA CMOS LDO Regulators with Fast Start Enable
9062
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IC GATE DRIVER HI/LOW SIDE 8SOIC
5344
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FAN7529M 芯片, 控制器, PFC CRM, SMD, SOIC8
8400
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PFC)，Fairchild Semiconductor ### 功率因数矫正 (PFC)，Fairchild Semiconductor PFC 控制器解决方案包括连续传导模式 (CCM)、临界的/临界导电模式 (CrCM/BCM)、交错式 PFC 控制器、及 PFC 和 PWM 组合控制器。 所有控制器提供软启动、过压保护、开口反馈保护、过电流保护、输入电压缺乏保护、欠压闭锁保护的集成保护功能。
7384
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描述:
FAN4174 Series Single 3.7MHz Bw Rail to Rail IO CMOS Amplifier - SOT-23-5
1883
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Power Factor Correction PWM CONTRLR 0.12mA 350kHz 8Pin SOIC N T/R
7785
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描述:
绿色电流模式PWM控制器 Green Current Mode PWM Controller
6863
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描述:
紧凑型6 - LED驱动器，用于移动平台 Compact 6-LED Driver for Mobile Platforms
1757
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描述:
Conv DC-DC 2.5V to 5.5V Synchronous Step Down Single-Out 0.6V to 1.39375V 3A
8508
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描述:
1.5MHz的升压稳压器与33V集成FET开关 1.5MHz Boost Regulator with 33V Integrated FET Switch
5269
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PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
2491
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PN2907ABU 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 625 mW, -800 mA, 50 hFE
6399
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描述:
5.8A ， 30V ， 0.037欧姆，双N沟道逻辑电平功率MOSFET 5.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level Power MOSFET
1420
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N沟道功率MOSFET Trench® 30 V ， 15 A ， 19英里© N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 15 A, 19 mΩ
3891
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描述:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8Pin Power 56 EP T/R
3119
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描述:
N-channel Powertrench Mosfet 100V, 50A, 15m
4241
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描述:
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,
8351
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描述:
N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 62A ， 13.5mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
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